PNP型バイポーラトランジスタ | 低周波用|AZ:RohS対応品、かつ外部端子に鉛を含有していない製品
型番 | 2SB798DK-AZ |
---|---|
メーカー | RENESAS |
種別 | バイポーラトランジスタ |
データシート | ![]() |
Case Connection | COLLECTOR |
Collector Current-Max (IC) | 1 A |
Collector-emitter Voltage-Max | 25 V |
Configuration | SINGLE |
DC Current Gain-Min (hFE) | 200 |
JESD-30 Code | R-PSSO-F3 |
JESD-609 Code | e3/e6 |
Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 |
Operating Temperature-Max | 150 Cel |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Polarity/Channel Type | PNP |
Power Dissipation Ambient-Max | 2 W |
Qualification Status | Not Qualified |
Surface Mount | YES |
Terminal Finish | MATTE TIN/TIN BISMUTH |
Terminal Form | FLAT |
Terminal Position | SINGLE |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 10 |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Transistor Element Material | SILICON |
Transition Frequency-Nom (fT) | 110 MHz |
VCEsat-Max | 0.4 V |
会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
---|---|
設立 | 2002年11月1日 |
資本金 | 100億円 |
所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 |
URL | http://am.renesas.com/ |
2SB798DK-AZ - RENESAS の商品詳細ページです。