2SB772 - RENESAS の商品詳細ページです。

1
No Image
2営業日以内に回答いたします

PNP型バイポーラトランジスタ | 低周波用

2SB772 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SB772
メーカーRENESAS
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 2 A
Collector-base Capacitance-Max 45 pF
Collector-emitter Voltage-Max 30 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 30
JEDEC-95 Code TO-92
JESD-30 Code O-PBCY-T3
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 150 Cel
Operating Temperature-Min -55 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style CYLINDRICAL Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 250
Polarity/Channel Type PNP
Power Dissipation Ambient-Max 0.5 W
Power Dissipation-Max (Abs) 0.5 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount NO
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Terminal Form FLAT
Terminal Position BOTTOM
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 10
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 50 MHz
VCEsat-Max 0.5 V
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

2SB772のレビュー

2SB772 のご注文について