2SB736-BW5 データシート Renesas

2SB736-BW5 - RENESAS の商品詳細ページです。

1
No Image
2営業日以内に回答いたします

PNP型バイポーラトランジスタ | 低周波用

2SB736-BW5 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SB736-BW5
メーカーRENESAS
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Collector Current-Max (IC) 0.3 A
Collector-emitter Voltage-Max 60 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 250
JESD-30 Code R-PDSO-G3
JESD-609 Code e0
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type PNP
Power Dissipation-Max (Abs) 0.2 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Finish MATTE TIN/TIN BISMUTH
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 10
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 100 MHz
VCEsat-Max 0.6 V
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

2SB736-BW5のレビュー

2SB736-BW5 のご注文について