2SB605
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PNP型バイポーラトランジスタ | 低周波用
2SB605 の詳細情報
- 仕様・詳細
- メーカー情報
| 型番 | 2SB605 |
|---|---|
| メーカー | RENESAS |
| カテゴリ | バイポーラ |
| 種別 | バイポーラトランジスタ |
| データシート |  |
| Automotive | - |
| Cob(pF)typ. | - |
| Collector Current-Max (IC) | 0.7 A |
| Collector-emitter Voltage-Max | 50 V |
| Configuration | SINGLE |
| DC Current Gain-Min (hFE) | 50 |
| IC(A)@25°C | - |
| JESD-30 Code | R-PSIP-T3 |
| JESD-609 Code | e0 |
| NPN/PNP | - |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 |
| Operating Temperature-Max | 150 Cel |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | IN-LINE Meter |
| Pc(W) | 1 |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | NOT SPECIFIED |
| Polarity/Channel Type | PNP |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 0.8 W |
| Qualification Status | Not Qualified |
| Sub Category | Other Transistors |
| Surface Mount | NO |
| Terminal Finish | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Terminal Form | THROUGH-HOLE |
| Terminal Position | SINGLE |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | NOT SPECIFIED |
| Transistor Application | AMPLIFIER |
| Transistor Element Material | SILICON |
| Transition Frequency-Nom (fT) | 120 MHz |
| VCE(sat)(V)max. | - |
| VCEO(V) | 50 |
| VCEsat-Max | 0.35 V |
| Vcbo(V) | - |
| Vebo(V) | - |
| fT(GHz)typ. | - |
| fT(MHz)typ. | - |
| hFEmax. | 400 |
| hFEmin. | 90 |
| シミュレーションデータ | - |
| ステータス | 量産中 |
| パッケージコード | - |
| 発注制約 | - |
| 会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
|---|---|
| 設立 | 2002年11月1日 |
| 資本金 | 100億円 |
| 所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 |
| URL | http://am.renesas.com/ |
2SB605のレビュー
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