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PNP型バイポーラトランジスタ | 低周波用

2SB600R の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SB600R
メーカーRENESAS
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 10 A
Collector-emitter Voltage-Max 200 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 60
JEDEC-95 Code TO-3
JESD-30 Code O-MBFM-P2
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material METAL
Package Shape ROUND
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Polarity/Channel Type PNP
Power Dissipation Ambient-Max 200 W
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount NO
Terminal Form PIN/PEG
Terminal Position BOTTOM
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 14 MHz
VCEsat-Max 3 V
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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