2SB1691WL-TL-E Renesas

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PNP型バイポーラトランジスタ | 低周波用

2SB1691WL-TL-E の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SB1691WL-TL-E
メーカーRENESAS
種別バイポーラトランジスタ
Collector Current-Max (IC) 1 A
Collector-emitter Voltage-Max 50 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 200
JESD-30 Code R-PDSO-G3
JESD-609 Code e3
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 225
Polarity/Channel Type PNP
Power Dissipation-Max (Abs) 0.8 W
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Finish Matte Tin (Sn)
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 20
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 310 MHz
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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