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PNP型バイポーラトランジスタ | 低周波用

2SB1431 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SB1431
メーカーRENESAS
カテゴリバイポーラ
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Automotive YES
Case Connection ISOLATED
Cob(pF)typ. 80
Collector Current-Max (IC) 8 A
Collector-emitter Voltage-Max 100 V
Configuration DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
DC Current Gain-Min (hFE) 500
IC(A)@25°C -8
JESD-30 Code R-PSFM-T3
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level 1
NPN/PNP PNP
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Pc(W) 25
Peak Reflow Temperature (Cel) 225
Polarity/Channel Type PNP
Power Dissipation-Max (Abs) 25 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount NO
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 10
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 80 MHz
VCE(sat)(V)max. -1.5
VCEO(V) -100
Vcbo(V) -100
Vebo(V) -7
fT(GHz)typ. -
fT(MHz)typ. 80
hFEmax. 15000
hFEmin. 2000
シミュレーションデータ -
ステータス In Mass Production
パッケージコード PRSS0003AK-A(P3JB-254-212)
発注制約 -
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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