2SB1115A-T1-AZ Renesas

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PNP型バイポーラトランジスタ | 低周波用|AZ:RohS対応品、かつ外部端子に鉛を含有していない製品

2SB1115A-T1-AZ の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SB1115A-T1-AZ
メーカーRENESAS
カテゴリバイポーラ
種別バイポーラトランジスタ
Automotive YES
Case Connection COLLECTOR
Cob(pF)typ. 25
Collector Current-Max (IC) 1 A
Collector-emitter Voltage-Max 60 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 100
IC(A)@25°C -1
JESD-30 Code R-PSSO-F3
JESD-609 Code e6
NPN/PNP PNP
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Pc(W) 2
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type PNP
Power Dissipation-Max (Abs) 2 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Finish TIN BISMUTH
Terminal Form FLAT
Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 120 MHz
VCE(sat)(V)max. -0.3
VCEO(V) -60
Vcbo(V) -
Vebo(V) -
fT(GHz)typ. 0.12
fT(MHz)typ. 120
hFEmax. 600
hFEmin. 135
シミュレーションデータ -
ステータス In Mass Production
パッケージコード PLZZ0004CC-A(P3C4-150-212)
発注制約 -
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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