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PNP型バイポーラトランジスタ | 高周波用

2SA1615-Z の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SA1615-Z
メーカーRENESAS
カテゴリバイポーラ
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Automotive YES
Case Connection COLLECTOR
Cob(pF)typ. 220
Collector Current-Max (IC) 0.01 A
Collector-emitter Voltage-Max 20 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 160
IC(A)@25°C -10
JESD-30 Code R-PSSO-G2
JESD-609 Code e0
NPN/PNP PNP
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Pc(W) 15
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type PNP
Power Dissipation Ambient-Max 2 W
Power Dissipation-Max (Abs) 1 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 10
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 180 MHz
VCE(sat)(V)max. -0.25
VCEO(V) -20
VCEsat-Max 0.25 V
Vcbo(V) -30
Vebo(V) -10
fT(GHz)typ. -
fT(MHz)typ. 180
hFEmax. 600
hFEmin. 200
シミュレーションデータ -
ステータス In Mass Production
パッケージコード PRSS0004ZM-B(P3J5-230-212)
発注制約 -
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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