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PNP型バイポーラトランジスタ | 高周波用|捺印でHfee1ランク IL:hFE1(直流電流増幅率)60~120 IK:hFE1(直流電流増幅率)100~200

2SA1463 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SA1463
メーカーRENESAS
種別シリコン・トランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 1 A
Collector-base Capacitance-Max 25 pF
Collector-emitter Voltage-Max 45 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 60
JESD-30 Code R-PSSO-F3
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 225
Polarity/Channel Type PNP
Power Dissipation Ambient-Max 2 W
Power Dissipation-Max (Abs) 2 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Finish TIN BISMUTH
Terminal Form FLAT
Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 300 MHz
Turn-off Time-Max (toff) 100 ns
Turn-on Time-Max (ton) 40 ns
VCEsat-Max 0.6 V
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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