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PNP型バイポーラトランジスタ | 高周波用

2SA1330 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SA1330
メーカーRENESAS
カテゴリバイポーラ
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Automotive YES
Cob(pF)typ. 3.6
Collector Current-Max (IC) 0.1 A
Collector-emitter Voltage-Max 200 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 50
IC(A)@25°C -0.1
JESD-30 Code R-PDSO-G3
JESD-609 Code e0
NPN/PNP PNP
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Pc(W) 0.2
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type PNP
Power Dissipation-Max (Abs) 0.2 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Finish TIN BISMUTH
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 120 MHz
VCE(sat)(V)max. -0.3
VCEO(V) -200
VCEsat-Max 0.3 V
Vcbo(V) -
Vebo(V) -
fT(GHz)typ. 0.12
fT(MHz)typ. 120
hFEmax. 450
hFEmin. 90
シミュレーションデータ -
ステータス In Mass Production
パッケージコード PLSP0003ZD-A(P3C3-95-121)
発注制約 -
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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