2SA1226-E4(T1B-A) データシート

Name: 2SA1226-E4(T1B-A)
Brand: RENESAS
SKU: 30080534-0000-0000-0000

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PNP型バイポーラトランジスタ | 高周波用

2SA1226-E4(T1B-A) の詳細情報

型番	2SA1226-E4(T1B-A)
メーカー	RENESAS
カテゴリ	バイポーラ
種別	バイポーラトランジスタ
データシート
Automotive	YES
Cob(pF)typ.	1.1
Collector Current-Max (IC)	0.03 A
Collector-emitter Voltage-Max	40 V
Configuration	SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE)	90
IC(A)@25°C	-0.03
JESD-30 Code	R-PDSO-G3
JESD-609 Code	e6
NPN/PNP	PNP
Number of Elements	1
Number of Terminals	3
Operating Temperature-Max	150 Cel
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	SMALL OUTLINE Meter
Pc(W)	0.2
Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type	PNP
Power Dissipation-Max (Abs)	0.2 W
Qualification Status	Not Qualified
Sub Category	Other Transistors
Surface Mount	YES
Terminal Finish	TIN BISMUTH
Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED
Transistor Application	AMPLIFIER
Transistor Element Material	SILICON
Transition Frequency-Nom (fT)	250 MHz
VCE(sat)(V)max.	-0.3
VCEO(V)	-40
Vcbo(V)	-
Vebo(V)	-
fT(GHz)typ.	0.4
fT(MHz)typ.	400
hFEmax.	180
hFEmin.	40
シミュレーションデータ	SPICE
ステータス	In Mass Production
パッケージコード	PLSP0003ZD-A(P3C3-95-121)
発注制約	-