2SA1222-L データシート Renesas

2SA1222-L - RENESAS の商品詳細ページです。

1
No Image
2営業日以内に回答いたします

PNP型バイポーラトランジスタ | 高周波用

2SA1222-L の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SA1222-L
メーカーRENESAS
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Collector Current-Max (IC) 0.5 A
Collector-emitter Voltage-Max 160 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 160
JESD-30 Code R-PSIP-T3
JESD-609 Code e0
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style IN-LINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type PNP
Power Dissipation-Max (Abs) 1 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount NO
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 30 MHz
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

2SA1222-Lのレビュー

2SA1222-L のご注文について