PNP型バイポーラトランジスタ | 高周波用
型番 | 2SA1193(K) |
---|---|
メーカー | RENESAS |
種別 | バイポーラトランジスタ |
データシート | ![]() |
Collector Current-Max (IC) | 0.5 A |
Collector-emitter Voltage-Max | 60 V |
Configuration | DARLINGTON |
DC Current Gain-Min (hFE) | 2000 |
JEDEC-95 Code | TO-92 |
JESD-30 Code | O-PBCY-T3 |
Moisture Sensitivity Level | 1 |
Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 |
Operating Temperature-Max | 125 Cel |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | ROUND |
Package Style | CYLINDRICAL Meter |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Polarity/Channel Type | PNP |
Power Dissipation-Max (Abs) | 0.9 W |
Qualification Status | Not Qualified |
Sub Category | Other Transistors |
Surface Mount | NO |
Terminal Finish | Tin (Sn) over Copper (Cu) |
Terminal Form | THROUGH-HOLE |
Terminal Position | BOTTOM |
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 20 |
Transistor Application | AMPLIFIER |
Transistor Element Material | SILICON |
会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
---|---|
設立 | 2002年11月1日 |
資本金 | 100億円 |
所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 |
URL | http://am.renesas.com/ |
2SA1193(K) - RENESAS の商品詳細ページです。