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PNP型バイポーラトランジスタ | 高周波用

2SA1193(K) の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SA1193(K)
メーカーRENESAS
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Collector Current-Max (IC) 0.5 A
Collector-emitter Voltage-Max 60 V
Configuration DARLINGTON
DC Current Gain-Min (hFE) 2000
JEDEC-95 Code TO-92
JESD-30 Code O-PBCY-T3
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 125 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape ROUND
Package Style CYLINDRICAL Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type PNP
Power Dissipation-Max (Abs) 0.9 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount NO
Terminal Finish Tin (Sn) over Copper (Cu)
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position BOTTOM
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 20
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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