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PNP型バイポーラトランジスタ | 高周波用

2SA1152 の詳細情報

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型番2SA1152
メーカーRENESAS
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Collector Current-Max (IC) 0.3 A
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 200
JESD-609 Code e0
Number of Elements 1
Operating Temperature-Max 150 Cel
Polarity/Channel Type PNP
Power Dissipation-Max (Abs) 0.6 W
Sub Category Other Transistors
Surface Mount NO
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Transition Frequency-Nom (fT) 100 MHz
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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