2SA1121SDTL-E Renesas

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PNP型バイポーラトランジスタ | 高周波用

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2SA1121SDTL-E の詳細情報

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型番2SA1121SDTL-E
メーカーRENESAS
種別バイポーラトランジスタ
Collector Current-Max (IC) 0.5 A
Collector-emitter Voltage-Max 35 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 160
JESD-30 Code R-PDSO-G3
JESD-609 Code e6
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type PNP
Power Dissipation-Max (Abs) 0.15 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 20
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 120 MHz
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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