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PNP型バイポーラトランジスタ | 高周波用

2SA1121 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SA1121
メーカーRENESAS
カテゴリバイポーラ
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Automotive -
Cob(pF)typ. -
Collector Current-Max (IC) 0.1 A
Collector-emitter Voltage-Max 35 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 10
IC(A)@25°C -0.5
JESD-30 Code R-PDSO-G3
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level 1
NPN/PNP PNP
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 125 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Pc(W) 0.15
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type PNP
Power Dissipation-Max (Abs) 0.15 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Finish Tin/Bismuth (Sn/Bi)
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 20
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 120 MHz
VCE(sat)(V)max. -0.6
VCEO(V) -35
Vcbo(V) -
Vebo(V) -
fT(GHz)typ. -
fT(MHz)typ. -
hFEmax. 320
hFEmin. 60
シミュレーションデータ -
ステータス In Mass Production
パッケージコード PLSP0003ZB-A(MPAK(T)V)
発注制約 Large order only
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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