2SA1069A-L データシート Renesas

2SA1069A-L - RENESAS の商品詳細ページです。

1
No Image
2営業日以内に回答いたします

PNP型バイポーラトランジスタ | 高周波用

2SA1069A-L の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SA1069A-L
メーカーRENESAS
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 5 A
Collector-emitter Voltage-Max 80 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 60
Fall Time-Max (tf) 500 ns
JEDEC-95 Code TO-220AB
JESD-30 Code R-PSFM-T3
JESD-609 Code e0
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type PNP
Power Dissipation Ambient-Max 1.5 W
Power Dissipation-Max (Abs) 30 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount NO
Terminal Finish Tin/Lead (Sn/Pb)
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
Turn-off Time-Max (toff) 3000 ns
Turn-on Time-Max (ton) 500 ns
VCEsat-Max 0.6 V
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

2SA1069A-Lのレビュー

2SA1069A-L のご注文について