PNP型バイポーラトランジスタ | 高周波用
| 型番 | 2SA1052MCTL-E |
|---|---|
| メーカー | RENESAS |
| 種別 | バイポーラトランジスタ |
| データシート | ![]() |
| Collector Current-Max (IC) | 0.1 A |
| Collector-emitter Voltage-Max | 30 V |
| Configuration | SINGLE |
| DC Current Gain-Min (hFE) | 160 |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G3 |
| JESD-609 Code | e6 |
| Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 |
| Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
| Polarity/Channel Type | PNP |
| Qualification Status | Not Qualified |
| Surface Mount | YES |
| Terminal Finish | Tin/Bismuth (Sn/Bi) |
| Terminal Form | GULL WING |
| Terminal Position | DUAL |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 20 |
| Transistor Application | AMPLIFIER |
| Transistor Element Material | SILICON |
| Transition Frequency-Nom (fT) | 280 MHz |
| 会社名称 | ルネサス エレクトロニクス株式会社 |
|---|---|
| 設立 | 2002年11月1日 |
| 資本金 | 100億円 |
| 所在地 | 135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号 |
| URL | http://am.renesas.com/ |
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