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PNP型バイポーラトランジスタ | 高周波用

2SA1010 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SA1010
メーカーRENESAS
カテゴリバイポーラ
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Automotive YES
Case Connection COLLECTOR
Cob(pF)typ. -
Collector Current-Max (IC) 7 A
Collector-emitter Voltage-Max 100 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 20
IC(A)@25°C -7
JEDEC-95 Code TO-220AB
JESD-30 Code R-PSFM-T3
JESD-609 Code e0
NPN/PNP PNP
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Pc(W) 40
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type PNP
Power Dissipation-Max (Abs) 40 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount NO
Terminal Finish TIN LEAD
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 10
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
VCE(sat)(V)max. -0.6
VCEO(V) -100
Vcbo(V) -100
Vebo(V) -7
fT(GHz)typ. -
fT(MHz)typ. -
hFEmax. 200
hFEmin. 40
シミュレーションデータ SPICE
ステータス In Mass Production
パッケージコード PRSS0004AH-A(P3J9-254-123)
発注制約 -
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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