2SA1008-AZ Renesas

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PNP型バイポーラトランジスタ | 高周波用|AZ：RohS対応品、かつ外部端子に鉛を含有していない製品

2SA1008-AZ の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SA1008-AZ
メーカーRENESAS
種別バイポーラトランジスタ
Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 2 A
Collector-emitter Voltage-Max 100 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 40
JEDEC-95 Code TO-220AB
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type PNP
Power Dissipation-Max (Abs) 15 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount NO
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 10
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称ルネサス エレクトロニクス株式会社
設立2002年11月1日
資本金100億円
所在地135-0061 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
URLhttp://am.renesas.com/

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