XN1A312 - PANASONIC の商品詳細ページです。

1
No Image
2営業日以内に回答いたします

XN1A312 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番XN1A312
メーカーPANASONIC
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1
Collector Current-Max (IC) 0.1 A
Collector-emitter Voltage-Max 50 V
Configuration CASCADED, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
DC Current Gain-Min (hFE) 60
JESD-30 Code R-PDSO-G5
Number of Elements 2
Number of Terminals 5
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type NPN AND PNP
Power Dissipation-Max (Abs) 0.3 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category BIP General Purpose Small Signal
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 10
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 80 MHz
会社名称パナソニック株式会社
設立1935年12月15日
資本金2,587億円
所在地571-8501 大阪府門真市大字門真1006番地
URLhttp://www.panasonic.net/

XN1A312のレビュー

XN1A312 のご注文について