XN01212 データシート Panasonic

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XN01212 の詳細情報

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型番XN01212
メーカーPANASONIC
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTANCE RATIO 1
Collector Current-Max (IC) 0.1 A
Collector-emitter Voltage-Max 50 V
Configuration COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
DC Current Gain-Min (hFE) 60
JESD-30 Code R-PDSO-G5
JESD-609 Code e6
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 2
Number of Terminals 5
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation Ambient-Max 0.3 W
Power Dissipation-Max (Abs) 0.3 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category BIP General Purpose Small Signal
Surface Mount YES
Terminal Finish TIN BISMUTH
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 150 MHz
VCEsat-Max 0.25 V
会社名称パナソニック株式会社
設立1935年12月15日
資本金2,587億円
所在地571-8501 大阪府門真市大字門真1006番地
URLhttp://www.panasonic.net/

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