MTM231232LBF データシート Panasonic

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MTM231232LBF の詳細情報

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型番MTM231232LBF
メーカーPANASONIC
データシートProduct_list_pdf
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 20 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 3 A
Drain Current-Max (ID) 3 A
Drain-source On Resistance-Max 0.055 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type P-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.5 W
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称パナソニック株式会社
設立1935年12月15日
資本金2,587億円
所在地571-8501 大阪府門真市大字門真1006番地
URLhttp://www.panasonic.net/

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