DRAF123J - PANASONIC の商品詳細ページです。

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DRAF123J の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番DRAF123J
メーカーPANASONIC
カテゴリその他-トランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 21.36
Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 0.1 A
Collector-emitter Voltage-Max 50 V
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
DC Current Gain-Min (hFE) 80
JESD-30 Code R-XBCC-N3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material UNSPECIFIED
Package Shape RECTANGULAR
Package Style CHIP CARRIER Meter
Polarity/Channel Type PNP
Power Dissipation-Max (Abs) 0.1 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category BIP General Purpose Small Signal
Surface Mount YES
Terminal Form NO LEAD
Terminal Position BOTTOM
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称パナソニック株式会社
設立1935年12月15日
資本金2,587億円
所在地571-8501 大阪府門真市大字門真1006番地
URLhttp://www.panasonic.net/

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