Nチャネル電界効果型トランジスタ
| 型番 | 2SK123 |
|---|---|
| メーカー | PANASONIC |
| 種別 | Nチャネル トランジスタ |
| データシート | ![]() |
| Additional Feature | HIGH RELIABILITY |
| Case Connection | SOURCE |
| Configuration | SINGLE |
| DS Breakdown Voltage-Min | 5 V |
| Drain Current-Max (Abs) (ID) | 0.07 A |
| Drain Current-Max (ID) | 0.002 A |
| FET Technology | JUNCTION |
| Highest Frequency Band | S BAND |
| JESD-30 Code | R-PDSO-G3 |
| JESD-609 Code | e0 |
| Number of Elements | 1 |
| Number of Terminals | 3 |
| Operating Mode | DEPLETION MODE |
| Operating Temperature-Max | 100 Cel |
| Package Body Material | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| Package Shape | RECTANGULAR |
| Package Style | MICROWAVE Meter |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation Ambient-Max | 0.27 W |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 0.2 W |
| Power Gain-Min (Gp) | 5 dB |
| Qualification Status | Not Qualified |
| Sub Category | FET General Purpose Power |
| Surface Mount | NO |
| Terminal Finish | TIN LEAD |
| Terminal Form | FLAT |
| Terminal Position | DUAL |
| Transistor Application | AMPLIFIER |
| Transistor Element Material | GALLIUM ARSENIDE |
| 会社名称 | パナソニック株式会社 |
|---|---|
| 設立 | 1935年12月15日 |
| 資本金 | 2,587億円 |
| 所在地 | 571-8501 大阪府門真市大字門真1006番地 |
| URL | http://www.panasonic.net/ |
2SK123 - PANASONIC の商品詳細ページです。