2SA2009 - PANASONIC の商品詳細ページです。

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PNP型バイポーラトランジスタ | 高周波用

2SA2009 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SA2009
メーカーPANASONIC
種別バイポーラトランジスタ
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature LOW NOISE
Collector Current-Max (IC) 0.02 A
Collector-emitter Voltage-Max 120 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 180
JESD-30 Code R-PDSO-F3
JESD-609 Code e6
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type PNP
Power Dissipation-Max (Abs) 0.15 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount YES
Terminal Finish TIN BISMUTH
Terminal Form FLAT
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 10
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 200 MHz
会社名称パナソニック株式会社
設立1935年12月15日
資本金2,587億円
所在地571-8501 大阪府門真市大字門真1006番地
URLhttp://www.panasonic.net/

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