| 型番 | MGFC50G5867 |
|---|---|
| メーカー | MITSUBISHI |
| カテゴリ | GaAs |
| 3rd Order IM Distortion(dBc) | -25(max) |
| Availability Status | MP |
| DataSheet | http://www.mitsubishielectric.co.jp/semiconductors/php/ePartProfile.php?FILENAME=mgfc50g5867_sep-2012.pdf&FOLDER=/product/hf/gantransistor/intnly_gan/intnly_gan_lv4 |
| Drain Current(A) | 1.92 |
| Drain-Source Voltage(V) | 40 |
| Frequency (GHz) | 5.8-6.7 |
| Inverter cir thermal resistance(Cel/W) | 0.6(typ) 0.8(max) |
| Linear Power Gain(dB) | 9.0(min) 10.0(typ) |
| Po(dBm) | 49.0(min) 50.0(typ) |
| Power Added Efficiency(%) | 40 |
| Remarks | - |
| S-parameter | - |
| 会社名称 | 三菱電機株式会社 |
|---|---|
| 設立 | 1921年1月15日 |
| 資本金 | 175,820百万円 |
| 所在地 | 100-8310 東京都千代田区丸の内2-7-3 |
| URL | http://www.mitsubishielectric.com/ |
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