MGF0906B Mitsubishi

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MGF0906B の詳細情報

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型番MGF0906B
メーカーMITSUBISHI
カテゴリGaAs
3rd Order IM Distortion(dBc) -
Availability Status MP
DataSheet http://www.mitsubishielectric.co.jp/semiconductors/php/ePartProfile.php?FILENAME=mgf0906b.pdf&FOLDER=/product/hf/gaastransistor/highpowerfet/highpowerfet_lv4
Drain Current(A) 1.2
Drain-Source Voltage(V) 10
Frequency (GHz) 2.3
Inverter cir thermal resistance(Cel/W) 6.5(max)
Linear Power Gain(dB) 10.0(min)
Output Power at 1dB Gain Compression(dBm) 35.5(min) 37.0(typ)
Po(dBm) -
Power Added Efficiency(%) 40
Remarks G
S-parameter http://www.mitsubishielectric.co.jp/semiconductors/php/ePartProfile.php?FILENAME=mgf0906b.s2p&FOLDER=/product/hf/gaastransistor/highpowerfet/highpowerfet_lv4
会社名称三菱電機株式会社
設立1921年1月15日
資本金175,820百万円
所在地100-8310 東京都千代田区丸の内2-7-3
URLhttp://www.mitsubishielectric.com/

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