MJD117 Kec

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MJD117 の詳細情報

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型番MJD117
メーカーKEC
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR
Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 2 A
Collector-base Capacitance-Max 200 pF
Collector-emitter Voltage-Max 100 V
Configuration DARLINGTON
DC Current Gain-Min (hFE) 200
JEDEC-95 Code TO-252
JESD-30 Code R-PDSO-G2
JESD-609 Code e0
Moisture Sensitivity Level 1
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 150 Cel
Operating Temperature-Min -65 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style IN-LINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 235
Polarity/Channel Type PNP
Power Dissipation Ambient-Max 1.75 W
Power Dissipation-Max (Abs) 20 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Other Transistors
Surface Mount NO
Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 10
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 25 MHz
VCEsat-Max 3 V
会社名称株式会社KEC
設立2011年2月
資本金1,000万円
所在地141-0022 東京都品川区東五反田2-2-3
URLhttp://www.kecj.co.jp/

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