MJD112L Kec

MJD112L - KEC の商品詳細ページです。

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MJD112L の詳細情報

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型番MJD112L
メーカーKEC
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR
Collector Current-Max (IC) 2 A
Collector-emitter Voltage-Max 100 V
Configuration DARLINGTON WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
DC Current Gain-Min (hFE) 1000
JESD-30 Code R-PSIP-T3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style IN-LINE Meter
Polarity/Channel Type NPN
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount NO
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 25 MHz
会社名称株式会社KEC
設立2011年2月
資本金1,000万円
所在地141-0022 東京都品川区東五反田2-2-3
URLhttp://www.kecj.co.jp/

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