KMB6D0DN30QA Kec

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KMB6D0DN30QA の詳細情報

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型番KMB6D0DN30QA
メーカーKEC
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 30 V
Drain-source On Resistance-Max 0.028 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PDSO-G8
Number of Elements 2
Number of Terminals 8
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 30 A
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社KEC
設立2011年2月
資本金1,000万円
所在地141-0022 東京都品川区東五反田2-2-3
URLhttp://www.kecj.co.jp/

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