KMA3D0N20SA Kec

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KMA3D0N20SA の詳細情報

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型番KMA3D0N20SA
メーカーKEC
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 20 V
Drain Current-Max (ID) 3 A
Drain-source On Resistance-Max 0.055 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 34 pF
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 1.25 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 12 A
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社KEC
設立2011年2月
資本金1,000万円
所在地141-0022 東京都品川区東五反田2-2-3
URLhttp://www.kecj.co.jp/

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