型番 | KF4N20LD-RTF/HS |
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メーカー | KEC |
Avalanche Energy Rating (Eas) | 52 mJ |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 200 V |
Drain Current-Max (ID) | 3.6 A |
Drain-source On Resistance-Max | 1.1 ohm |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 2 |
Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | SMALL OUTLINE Meter |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 7 A |
Surface Mount | YES |
Terminal Form | GULL WING |
Terminal Position | SINGLE |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
会社名称 | 株式会社KEC |
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設立 | 2011年2月 |
資本金 | 1,000万円 |
所在地 | 141-0022 東京都品川区東五反田2-2-3 |
URL | http://www.kecj.co.jp/ |
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