KF3N50IZ Kec

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KF3N50IZ の詳細情報

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型番KF3N50IZ
メーカーKEC
Avalanche Energy Rating (Eas) 110 mJ
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 500 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 2.5 A
Drain Current-Max (ID) 2.5 A
Drain-source On Resistance-Max 2.5 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-PSIP-T3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style IN-LINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 40 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 7 A
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount NO
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社KEC
設立2011年2月
資本金1,000万円
所在地141-0022 東京都品川区東五反田2-2-3
URLhttp://www.kecj.co.jp/

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