KF10N60F Kec

KF10N60F - KEC の商品詳細ページです。

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KF10N60F の詳細情報

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型番KF10N60F
メーカーKEC
Avalanche Energy Rating (Eas) 400 mJ
Case Connection ISOLATED
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 600 V
Drain Current-Max (ID) 10 A
Drain-source On Resistance-Max 0.73 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-220AB
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 25 A
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount NO
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称株式会社KEC
設立2011年2月
資本金1,000万円
所在地141-0022 東京都品川区東五反田2-2-3
URLhttp://www.kecj.co.jp/

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