VMO580-02F Ixys

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VMO580-02F の詳細情報

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型番VMO580-02F
メーカーIXYS
Case Connection ISOLATED
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 200 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 580 A
Drain Current-Max (ID) 580 A
Drain-source On Resistance-Max 0.0038 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 Code R-XUFM-X11
JESD-609 Code e3
Number of Elements 1
Number of Terminals 11
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material UNSPECIFIED
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount NO
Terminal Finish TIN
Terminal Form UNSPECIFIED
Terminal Position UPPER
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称IXYS Corporation
設立1983
所在地1590 Buckeye Drive Milpitas, CA 95035
URLhttp://www.ixys.com/

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