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IXTM21N50 の詳細情報

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型番IXTM21N50
メーカーIXYS
データシートProduct_list_pdf
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 500 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 21 A
Drain Current-Max (ID) 21 A
Drain-source On Resistance-Max 0.25 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-204AE
JESD-30 Code O-MBFM-P2
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material METAL
Package Shape ROUND
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation Ambient-Max 300 W
Power Dissipation-Max (Abs) 250 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 84 A
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount NO
Terminal Form PIN/PEG
Terminal Position BOTTOM
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称IXYS Corporation
設立1983
所在地1590 Buckeye Drive Milpitas, CA 95035
URLhttp://www.ixys.com/

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