IXTM12N90 データシート Ixys

IXTM12N90 - IXYS の商品詳細ページです。

1
No Image
  • 個
２営業日以内に回答いたします
この商品のお問い合わせ

IXTM12N90 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番IXTM12N90
メーカーIXYS
データシートProduct_list_pdf
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 900 V
Drain Current-Max (Abs) (ID) 12 A
Drain Current-Max (ID) 12 A
Drain-source On Resistance-Max 0.9 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-204AA
JESD-30 Code O-MBFM-P2
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material METAL
Package Shape ROUND
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation Ambient-Max 300 W
Power Dissipation-Max (Abs) 300 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 48 A
Qualification Status Not Qualified
Sub Category FET General Purpose Power
Surface Mount NO
Terminal Form PIN/PEG
Terminal Position BOTTOM
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称IXYS Corporation
設立1983
所在地1590 Buckeye Drive Milpitas, CA 95035
URLhttp://www.ixys.com/

IXTM12N90のレビュー

IXTM12N90 のご注文について