IXTI10N60P データシート Ixys

IXTI10N60P - IXYS の商品詳細ページです。

1
No Image
  • 個
２営業日以内に回答いたします
この商品のお問い合わせ

IXTI10N60P の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番IXTI10N60P
メーカーIXYS
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature AVALANCHE RATED
Avalanche Energy Rating (Eas) 500 mJ
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 600 V
Drain Current-Max (ID) 10 A
Drain-source On Resistance-Max 0.74 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-263
JESD-30 Code R-PSIP-T3
JESD-609 Code e3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style IN-LINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 30 A
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount NO
Terminal Finish MATTE TIN
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称IXYS Corporation
設立1983
所在地1590 Buckeye Drive Milpitas, CA 95035
URLhttp://www.ixys.com/

IXTI10N60Pのレビュー

IXTI10N60P のご注文について