IXTA110N055P データシート Ixys

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IXTA110N055P の詳細情報

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型番IXTA110N055P
メーカーIXYS
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature AVALANCHE RATED
Avalanche Energy Rating (Eas) 1000 mJ
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 55 V
Drain Current-Max (ID) 110 A
Drain-source On Resistance-Max 0.0135 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-263AB
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 175 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 250 A
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount YES
Terminal Finish PURE TIN
Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称IXYS Corporation
設立1983
所在地1590 Buckeye Drive Milpitas, CA 95035
URLhttp://www.ixys.com/

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