IXGR35N120BD1 データシート Ixys

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IXGR35N120BD1 の詳細情報

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型番IXGR35N120BD1
メーカーIXYS
データシートProduct_list_pdf
Case Connection ISOLATED
Collector Current-Max (IC) 54 A
Collector-emitter Voltage-Max 1200 V
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 Code R-PSIP-T3
JESD-609 Code e1
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style IN-LINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Qualification Status Not Qualified
Surface Mount NO
Terminal Finish TIN SILVER COPPER
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) 10
Transistor Application POWER CONTROL
Transistor Element Material SILICON
Turn-off Time-Nom (toff) 780 ns
Turn-on Time-Nom (ton) 105 ns
会社名称IXYS Corporation
設立1983
所在地1590 Buckeye Drive Milpitas, CA 95035
URLhttp://www.ixys.com/

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