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IXGM17N100 の詳細情報

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型番IXGM17N100
メーカーIXYS
データシートProduct_list_pdf
Additional Feature HIGH SPEED
Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 34 A
Collector-emitter Voltage-Max 1000 V
Configuration SINGLE
Gate-emitter Thr Voltage-Max 5 V
Gate-emitter Voltage-Max 20 V
JEDEC-95 Code TO-204AE
JESD-30 Code O-MBFM-P2
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material METAL
Package Shape ROUND
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation Ambient-Max 150 W
Power Dissipation-Max (Abs) 150 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Insulated Gate BIP Transistors
Surface Mount NO
Terminal Form PIN/PEG
Terminal Position BOTTOM
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application POWER CONTROL
Transistor Element Material SILICON
Turn-off Time-Nom (toff) 1450 ns
Turn-on Time-Nom (ton) 300 ns
VCEsat-Max 3.5 V
会社名称IXYS Corporation
設立1983
所在地1590 Buckeye Drive Milpitas, CA 95035
URLhttp://www.ixys.com/

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