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IXGE200N60B の詳細情報

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型番IXGE200N60B
メーカーIXYS
データシートProduct_list_pdf
Case Connection ISOLATED
Collector Current-Max (IC) 160 A
Collector-emitter Voltage-Max 600 V
Configuration SINGLE
Gate-emitter Voltage-Max 20 V
JESD-30 Code R-PUFM-X4
Number of Elements 1
Number of Terminals 4
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style FLANGE MOUNT Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 500 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Insulated Gate BIP Transistors
Surface Mount NO
Terminal Form UNSPECIFIED
Terminal Position UPPER
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application POWER CONTROL
Transistor Element Material SILICON
Turn-off Time-Nom (toff) 540 ns
Turn-on Time-Nom (ton) 120 ns
VCEsat-Max 2.1 V
会社名称IXYS Corporation
設立1983
所在地1590 Buckeye Drive Milpitas, CA 95035
URLhttp://www.ixys.com/

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