IXGA7N60CD1 データシート Ixys

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IXGA7N60CD1 の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番IXGA7N60CD1
メーカーIXYS
データシートProduct_list_pdf
Case Connection COLLECTOR
Collector Current-Max (IC) 14 A
Collector-emitter Voltage-Max 600 V
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Fall Time-Max (tf) 110 ns
Gate-emitter Thr Voltage-Max 5.5 V
Gate-emitter Voltage-Max 20 V
JEDEC-95 Code TO-263AB
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Temperature-Max 150 Cel
Operating Temperature-Min -55 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 54 W
Qualification Status Not Qualified
Sub Category Insulated Gate BIP Transistors
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Transistor Application POWER CONTROL
Transistor Element Material SILICON
Turn-off Time-Nom (toff) 205 ns
Turn-on Time-Nom (ton) 25 ns
会社名称IXYS Corporation
設立1983
所在地1590 Buckeye Drive Milpitas, CA 95035
URLhttp://www.ixys.com/

IXGA7N60CD1のレビュー

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