IXFT26N50QSN Ixys

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IXFT26N50QSN の詳細情報

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型番IXFT26N50QSN
メーカーIXYS
Additional Feature AVALANCHE RATED
Avalanche Energy Rating (Eas) 1500 mJ
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 500 V
Drain Current-Max (ID) 26 A
Drain-source On Resistance-Max 0.2 ohm
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code TO-268AA
JESD-30 Code R-PSSO-G2
Number of Elements 1
Number of Terminals 2
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM) 104 A
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position SINGLE
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
会社名称IXYS Corporation
設立1983
所在地1590 Buckeye Drive Milpitas, CA 95035
URLhttp://www.ixys.com/

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