RT1N237M-T111-1 Isahaya

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RT1N237M-T111-1 の詳細情報

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型番RT1N237M-T111-1
メーカーISAHAYA
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 22
Collector Current-Max (IC) 0.1 A
Collector-emitter Voltage-Max 50 V
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
DC Current Gain-Min (hFE) 80
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation Ambient-Max 0.2 W
Power Dissipation-Max (Abs) 0.2 W
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application SWITCHING
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 200 MHz
VCEsat-Max 0.3 V
会社名称イサハヤ電子株式会社
設立1973年3月26日
資本金4億8,597万円
所在地854-0065 長崎県諫早市津久葉町6-41
URLhttps://www.idc-com.co.jp/html_jp/index.php

RT1N237M-T111-1のレビュー

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