INK0210AP1 Isahaya

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INK0210AP1 の詳細情報

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型番INK0210AP1
メーカーISAHAYA
Case Connection DRAIN
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min 60 V
Drain Current-Max (ID) 2 A
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss) 28 pF
JESD-30 Code R-PSSO-F3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation Ambient-Max 0.5 W
Power Dissipation-Max (Abs) 0.5 W
Surface Mount YES
Terminal Form FLAT
Terminal Position SINGLE
Transistor Application CHOPPER
Transistor Element Material SILICON
会社名称イサハヤ電子株式会社
設立1973年3月26日
資本金4億8,597万円
所在地854-0065 長崎県諫早市津久葉町6-41
URLhttps://www.idc-com.co.jp/html_jp/index.php

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