2SC5383-T111-1F Isahaya

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NPN型バイポーラトランジスタ | 高周波用

2SC5383-T111-1F の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SC5383-T111-1F
メーカーISAHAYA
種別バイポーラトランジスタ
Collector Current-Max (IC) 0.2 A
Collector-base Capacitance-Max 2.5 pF
Collector-emitter Voltage-Max 50 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 250
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR
Package Style SMALL OUTLINE Meter
Polarity/Channel Type NPN
Power Dissipation Ambient-Max 0.15 W
Power Dissipation-Max (Abs) 0.15 W
Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING
Terminal Position DUAL
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 200 MHz
VCEsat-Max 0.3 V
会社名称イサハヤ電子株式会社
設立1973年3月26日
資本金4億8,597万円
所在地854-0065 長崎県諫早市津久葉町6-41
URLhttps://www.idc-com.co.jp/html_jp/index.php

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