2SA1283-E Isahaya

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PNP型バイポーラトランジスタ | 高周波用

2SA1283-E の詳細情報

  • 仕様・詳細
  • メーカー情報
型番2SA1283-E
メーカーISAHAYA
種別バイポーラトランジスタ
Collector Current-Max (IC) 1 A
Collector-base Capacitance-Max 22 pF
Collector-emitter Voltage-Max 60 V
Configuration SINGLE
DC Current Gain-Min (hFE) 150
JESD-30 Code O-XBCY-T3
Number of Elements 1
Number of Terminals 3
Operating Temperature-Max 150 Cel
Package Body Material UNSPECIFIED
Package Shape ROUND
Package Style CYLINDRICAL Meter
Polarity/Channel Type PNP
Power Dissipation Ambient-Max 0.9 W
Power Dissipation-Max (Abs) 0.9 W
Sub Category Other Transistors
Surface Mount NO
Terminal Form THROUGH-HOLE
Terminal Position BOTTOM
Transistor Application AMPLIFIER
Transistor Element Material SILICON
Transition Frequency-Nom (fT) 50 MHz
VCEsat-Max 0.3 V
会社名称イサハヤ電子株式会社
設立1973年3月26日
資本金4億8,597万円
所在地854-0065 長崎県諫早市津久葉町6-41
URLhttps://www.idc-com.co.jp/html_jp/index.php

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